MODULE IGBT N-CHANNEL TOSHIBA

MG2/00J2YS50

Statut: En stock

CA$199.99

Description

Description

MG200J2YS50 descriptif

Module TOSHIBA GTR IGBT canal N en silicium MG200J2YS50 MG200J2YS50 Applications de commutation haute puissance Applications de commande de moteur Unité : mm l Les électrodes sont isolées du boîtier. l Haute impédance d'entrée l Comprend un demi-pont complet dans un seul boîtier.

Caractéristiques principales du MG200J2YS50

  • Les électrodes sont isolées du boîtier
  • Impédance d'entrée élevée
  • Comprend un demi-pont complet dans un seul paquet
  • Mode d'amélioration
  • Haute vitesse : tf = 0,30µs (Max) (IC = 200A) trr = 0,15µs (Max) (IF = 200A)
  • Faible tension de saturation : VCE (sat) = 2,70 V (Max) (IC = 200 A) Circuit équivalent JEDEC EIAJ TOSHIBA ― ― 2-95A
Retour