| Paramètre |
Valeur |
| Fabricant |
Toshiba |
| Numéro de pièce |
MG200H1AL2 |
| Type d'appareil |
Transistor Darlington à triple diffusion NPN en silicium avec diode de roue libre |
| Tension collecteur-base (V OC ) |
600 V |
| Maintien collecteur-émetteur (V CES(sus) ) |
600 V |
| Maintien collecteur-émetteur (V PDG ) |
550 V |
| Tension émetteur-base (V EBO ) |
6 V |
| Courant du collecteur (DC / 1 ms) |
200 A / 400 A |
| Courant de diode directe (DC / 1 ms) |
200 A / 400 A |
| Courant de base (je B ) |
25 A |
| h FE (min.) |
80 à V CE =5 V, je C =200 A |
| V CE(village) (maximum) |
2.0V@I C =200 A |
| V ÊTRE (samedi) (maximum) |
2,7V@I C =200 A, je B =6A |
| Commutation (max) |
t sur 2,0 µs ; t stg 12 µs ; t f 4,0 µs |
| Diode (par jambe) |
V F Type 1,5 V à 200 A ; t rr 2,0 µs |
| Résistance thermique |
R. thJC (transistor) 0,156 °C/W ; R. thJC (diode) 0,65 °C/W |
| Dissipation de puissance du collecteur |
800 W @ T C =25 °C |
| Isolation (terminaux → base) |
2,5 kV RMS / 1 minute |
| Fonctionnement / Stockage |
T j ≤ 150 °C/T stg −40… 125 °C |
| Forfait / Masse |
Toshiba2-68D1A ; ≈ 210g |
| Couple de vis |
30 kg·cm (bornes) / 30 kg·cm (montage) |
| Configuration |
Module à transistor unique |
